3D DRAMの実現でメモリが再び飛躍的な大容量化の道を進むか！？

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Stacked DRAM on the horizon. Could be a revolution like 3D NAND - HWCooling.net DRAM used in operating memory has long been experiencing problems. It doesn’t have the best scaling to new manufacturing nodes, which limits capacity growth. Th...

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3D DRAM could be revolutionary – if it works We asked memory semiconductor industry analyst Jim Handy of Objective Analysis how he views 3D DRAM technology.

Sumsungが2025年から3DスタックされたDRAMの量産準備に入るとのことです。

これはHBMのように製造されたDRAMを後工程でTSVによりスタックするものとは異なりDRAMの構造が3次元化され積層されたものを意味します。
現在の平面におけるメモリは微細化の限界にきており、面積を小さくしても電荷を保持するための容量確保の為にキャパシターの高さを確保する必要から高層ビルのようになっておりこれ以上の密度向上が難しい状態にあります。

3D DRAMでは現在のDRAMを倒して横に長いキャパシターを積み重ねたような構造になるようです。

3D積層DRAMは2030 年から 2035 年の間にチップ辺り1Tbitも目指せるだろうとのことで、もし実現すれば片面8チップ実装のメモリモジュールであれば1TBモジュールとなり、2枚搭載するだけで2TBものメモリとなります。
これだけあればChatGPT4やClaude3のような現在の最先端AIモデルよりも大規模なモデルがローカルで実行可能になります。
CPUで高速に実行可能なBitNetのような技術もすでにあるので夢が広がりますね。

実際に実用化されるのは2026年から2028年の間のどこかということで、市場にでてくるのは更に後になりそうですが早期に手元で使用できることを願うばかりです。